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    HBM 공급 2배 확대, VCT D램 등 미래제품 선도

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    삼성 DS부문, 미래전략 수립

    커스텀 HBM 등 고수익 전략
    본딩 기술 등 차세대 기술 확보
    수율 개선·비용 절감에 집중
    삼성전자 반도체 핵심 생산기지인 경기 평택의 나노시티 전경.  삼성전자 제공
    삼성전자 반도체 핵심 생산기지인 경기 평택의 나노시티 전경. 삼성전자 제공
    삼성전자는 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문 사업부별 특성에 맞게 미래 전략을 수립해 반도체 시장을 주도할 계획이다.

    메모리 반도체는 최첨단 공정 기반 고대역폭메모리(HBM)를 고객이 원하는 시점에 개발해 차세대 인공지능(AI) 제품 관련 경쟁력을 확보한다는 전략을 세웠다. 올해 비트(bit) 기준으로 환산한 HBM 공급량을 전년보다 두 배 수준으로 늘리고 고객 맞춤형 ‘커스텀 HBM’을 차질 없이 준비해 고수익 반도체 시장에 적극적으로 대응한다. 고성능·고용량 데이터 저장장치인 솔리드스테이트드라이브(SSD) 모델 확대를 통해 AI 데이터센터 고객용 납품을 늘리기로 했다. 첨단 공정으로의 전환에 속도를 내고 서버 중심 제품 판매 증대로 매출과 수익성을 극대화한다.

    미래 제품과 관련해선 연구개발(R&D)을 통해 신공정과 차세대 기술 경쟁력을 확보한다. 특히 VCT(수직 채널 트랜지스터), 본딩 기술과 같은 차세대 기술의 경쟁력 확보에 집중하는 등 미래 반도체 개발을 선제적으로 준비해 사업을 성장시킬 계획이다.

    파운드리(반도체 수탁생산)사업부는 ‘고객 최우선’ 슬로건을 바탕으로 사업 경쟁력을 확보해 고객 만족도를 높여나갈 예정이다. 고객 중심의 디자인 인프라 구축을 위해 제품군별 설계자산(IP)을 선제적으로 준비하고 설계 역량도 개선할 방침이다. 수율(전체 생산품에서 양품이 차지하는 비율) 상승, 비용 절감 등으로 수익 구조도 개선해 나갈 예정이다.

    파운드리와 메모리, 패키징의 연계 서비스인 ‘턴키서비스’도 강화한다. 누설전류를 줄이는 게이트올어라운드(GAA)와 HBM, 3차원(3D) 최첨단 패키징 기술을 연계해 제품 경쟁력을 높인다. 강점 분야인 모바일 외에도 고성능컴퓨팅(HPC)용 최고 수준의 고성능·저전력 반도체를 공급한다. 차량용의 경우 고객 맞춤형 공정 솔루션을 제공해 고성장 분야에 대응할 계획이다.

    또 첨단 공정 PPA(소비전력·성능·면적을 뜻하는 약어로 공정을 평가하는 데 중요한 세 가지 지표)를 개선해 고객을 확대한다. 동시에 수율을 높여 수익성을 확보한다. 전통(레거시) 공정은 고객 맞춤 대응으로 사업을 확장하고 가동률 개선 등을 통해 비용을 절감하는 등 고정 수익성 제고로 사업의 기초 체력을 확보할 예정이다.

    반도체 설계를 담당하는 시스템 LSI사업부는 제품 경쟁력을 강화하고 안정 적 성장을 위해 사업 내실화를 추진한다. 엑시노스 등 통합칩셋(SOC)은 차세대 플래그십 스마트폰 탑재를 위해 성능 극대화에 주력한다. 이미지 센서는 고화소 경쟁력을 바탕으로 신규 고객 확보와 신시장 진입으로 점유율을 확대한다. 솔루션 경쟁력을 강화하기 위해 디스플레이 구동회로(IC) 기술 차별화, 전력 관리 IC 사업 확대 등도 추진한다.

    고수익 AI 제품 경쟁력을 확보하고 사업구조 개선으로 지속 성장 가능한 기반을 구축한다. 온디바이스 AI용 SOC 솔루션을 선제적으로 대응하고 차별화된 이미지센서 기술을 개발해 프리미엄 제품용 SOC 경쟁력을 강화한다.

    삼성전자 관계자는 “DS부문은 근원적 경쟁력 회복을 위해 문제의 원인을 스스로에게서 찾고 도전과 몰입의 반도체 조직문화를 강화한다”며 “미래 성장 강화를 위한 시설투자와 R&D 투자를 꾸준히 이어가고, 특히 R&D에 과감한 투자를 아끼지 않을 방침”이라고 설명했다.

    황정수 기자 hjs@hankyung.com

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