삼성, 20나노 모바일D램 세계 첫 양산
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하반기부터 주력제품으로
삼성전자는 지난달부터 20나노급 4Gb(기가비트) 모바일 D램(LPDDR2)을 양산하기 시작했다고 17일 발표했다. 1나노는 10억분의 1m다. 20나노급이면 사람 머리카락 4000분의 1 굵기로 반도체 회로를 웨이퍼에 그려 넣을 수 있다. 나노 숫자가 작아질수록 생산성은 높아지고 전력 소모는 줄어든다.
20나노급 4Gb D램을 4단으로 쌓은 16Gb(2GB) 제품은 30나노 4Gb D램을 4단 적층한 제품과 비교해 소비 전력은 같지만 두께는 20% 줄었다. 이에 따라 앞으로 개발될 두께가 얇은 차세대 모바일 기기에 적합하다는 게 삼성전자 측 설명이다. 회사 관계자는 “기억 소자인 코어가 4개 있는 쿼드코어 중앙처리장치(CPU)가 들어간 스마트폰과 대화면 태블릿PC가 모바일 시장을 주도하고 있다”며 “처리 속도를 높이고 장시간 배터리를 사용할 수 있는 저전력 대용량 메모리 수요가 높아지고 있다”고 말했다.
홍완훈 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “하반기부터 20나노급 모바일 D램 비중을 지속적으로 늘려 4Gb 모바일 D램을 시장 주도 제품으로 만들 것”이라고 말했다.
시장조사업체 아이서플라이는 4Gb 모바일 D램 비중이 올해 13%, 2013년 49%, 2014년 63% 등으로 확대될 것으로 전망했다.
삼성전자는 기술적 우위를 바탕으로 모바일 D램 시장 점유율을 작년 4분기 53.5%에서 올 1분기 70.9%로 끌어올렸다. SK하이닉스가 15.0%로 2위를 차지했고 일본 엘피다(8.8%), 미국 마이크론(4.0%)이 뒤를 이었다.
앞서 지난 16일 대만 정보기술(IT) 전문 매체인 디지타임스는 애플이 엘피다에 모바일 D램을 대량 주문, SK하이닉스와 삼성전자가 타격을 받을 것이라고 보도했다. 이에 대해 이재용 삼성전자 사장은 “명백한 오보”라고 말했다.
정인설 기자 surisuri@hankyung.com
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