김태근 고려대 전기전자전파공학부 교수팀은 입력된 정보를 기존 플래시 메모리에 비해 10배 이상 빠르게 처리할 수 있는 플래시 융합메모리 소자를 개발했다고 10일 밝혔다. 이번 연구는 '미국전기전자학회지' 10월호에 실렸으며 원천 특허 3건과 관련 특허 7건도 함께 출원됐다.

이번에 개발된 메모리는 전하를 포획해 부도체 물질에 저장하는 기존 CTF(Charge Trap Flash)방식의 장점과 차세대 비휘발성 메모리인 'Re램'의 장점을 결합한 것이 특징이다. 높은 동작전압(10~15V)을 요구하는 기존 터널링 방식 대신 5~10V의 낮은 전압에서 Re램 물질의 저항변화에 따라 소자를 껐다 켰다 할 수 있게 함으로써 정보처리 속도를 10배 이상 높이면서도 열 발생 문제를 해결했다는 설명이다.

김 교수는 "단순히 2개의 소자나 기능을 물리적으로 융합한 것이 아니라,1개 트랜지스터 기반의 CTF 구조를 그대로 이용하면서 저항변환물질의 상태변화를 통해 전하를 빠르게 주입 또는 소거하는 방식"이라고 말했다.

지금까지 CTF 메모리는 셀 크기가 작아지면서 소자가 과도하게 뜨거워지고 저장용량이 감소하는 문제 등이 종종 한계로 지적돼 왔다.

이해성 기자 ihs@hankyung.com