하이닉스반도체가 삼성전자에 이어 올해 투자규모를 당초 계획보다 대폭 늘릴 전망이다.

하이닉스는 28일 오후 이사회를 열어 반도체 생산공정 부문 등에 대한 투자규모를 당초 책정한 2조3000억원에서 3조원 이상으로 증액하는 방안을 논의했다고 밝혔다. 이는 지난해 하반기 이후 전 세계적으로 반도체 공급부족 현상이 지속되고 있는 만큼 생산량 확대를 위한 추가 투자가 불가피하다는 판단에서다. 다만 이날 이사회에 신규라인 건설계획은 상정되지 않았다. 대신 주력 제품인 D램과 낸드 플래시 등의 생산수율을 높이기 위한 공정 개선 분야에 대한 투자가 집중 논의된 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "하이닉스가 올해 투자 금액 중 약 40%를 낸드플래시 부문에 투자할 가능성이 높다"며 "중국 우시공장의 시설보수，하반기에 38나노급 D램 양산을 목표로 하는 이천공장 등에도 상당한 금액이 투입될 것"이라고 말했다.

업계는 하이닉스의 올해 투자규모가 3조1000억~3조2000억원 수준에 달할 것으로 예상하고 있다. 한편 삼성전자는 올해 차세대 메모리 제품 생산을 위한 신규 라인 건설과 30나노 D램 양산을 위한 기존 라인 증설을 위해 메모리 반도체 부문의 투자액을 연초 계획한 5조5000억원에서 9조원대로 높이기로 했다.

조일훈 기자 jih@hankyung.com