삼성 내년까지 반도체 19조 투자

300mm 웨이퍼라인 두 곳 추가…구리공정 전담 'M팹' 신설

삼성전자가 내년까지 반도체 부문에 총 19조3000억원을 투입,사상 최대 투자를 단행한다. 300㎜ 웨이퍼라인 두 곳을 신설하고 후공정 전용 메탈 팹 한 곳을 신설,메모리반도체 시장에 대한 지배력을 더욱 강화한다는 전략에 따른 것이다.

29일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 8조3000억원,내년에 11조원의 설비투자를 하기로 결정,국내외 장비업체들을 대상으로 대규모 발주에 나선 것으로 밝혀졌다. 삼성은 우선 올해 4조원을 투입해 화성사업장 16라인(300㎜)에 장비 반입을 마무리하고 내년엔 5조원을 들여 17라인을 추가로 건설할 계획이라고 장비업체들은 전했다.

삼성은 또 반도체사업장 내 8대 공정 중 구리배선 등을 담당하는 메탈공정의 병목현상을 완화하기 위해 이 공정만을 전담하는 일명 'M팹'을 연내 건설키로 했다. 제조가 까다롭고 시간도 많이 걸리는 메탈공정 전용 팹이 만들어질 경우 기존 라인의 생산성은 획기적으로 향상될 전망이다. 하이닉스반도체도 M팹을 가동하고 있지만 200㎜ 웨이퍼 전용라인이다.

삼성이 창사 이래 처음으로 M팹을 짓는 이유는 지난해 하반기부터 폭주하는 주문을 효과적으로 처리하면서 단기 생산량을 극대화하겠다는 판단에 따른 것으로 업계는 보고 있다. 한 장비업체 사장은 "M팹 건설은 압도적인 생산량으로 경쟁사들과 격차를 더욱 벌려나가겠다는 의도가 담겨 있다"고 설명했다.

업계는 이 같은 투자가 완료되면 삼성전자의 반도체 매출이 연간 10조원 이상 증가할 것으로 내다보고 있다. 반도체 가격에 따라 차이는 있지만 일반적으로 D램의 경우 1개 300㎜ 웨이퍼라인이 거둬들이는 연간 매출은 4조~5조원 수준에 달하고 있다. 지난해 세계 메모리반도체 시장규모가 350억달러 수준이었다는 점을 감안하면 무려 30%에 해당하는 물량을 추가로 생산한다는 얘기다.

지난해 매출 기준으로 삼성 제품 점유율은 D램이 33.6%,낸드플래시가 40.2%였다. 경쟁사인 하이닉스반도체,도시바,엘피다,마이크론테크놀로지 등도 최근 투자 확대를 저울질하고 있지만 규모가 그다지 크지 않아 삼성의 독주체제를 막지는 못할 전망이다.

조일훈/김용준 기자 jih@hankyung.com