삼성전자는 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2기가비트(Giga bit) DDR3 D램 개발에 성공해 10월부터 양산할 예정이라고 29일 밝혔습니다. 신제품은 지난해 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램의 최대 속도보다 약 1.6배(1.333Gbps) 빠르며, 단품 칩의 크기도 작아 생산 효율이 기존보다 60% 이상 향상됐습니다. 또한, 2기가비트 DDR3는 1기가비트 DDR단품에 4단 적층(GDP:Quad Die Pacakage) 기술 대신 2단 패키지 적층 기술 적용이 가능해 원가부담이 적고, 40% 이상 전력 절감과 발열량 감소 효과도 있습니다. 삼성전자는 50나노급 2기가비트 DDR3 D램 출시를 계기로 앞으로 수년 이내 D램 시장의 주력 제품이 될 2기가 DDR3 제품군에서 확실한 주도권을 확보해 시장 선점을 통한 경쟁 우위를 지속해 나갈 방침입니다. 송철오기자 cosong@wowtv.co.kr