삼성전자, 60나노급 2기가 DDR2 D램 개발
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삼성전자가 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 2기가비트 DDR2 D램 개발에 성공하고 인텔 인증을 획득했습니다.
이번에 개발한 60나노급 2기가 D램은 초고속 800Mbps 구현이 가능하며 기존 대비 메모리 용량 2배 확대와 30% 전력절감 효과 등의 특징이 있습니다.
삼성전자는 올해 말부터 60나노급 2기가 D램 양산에 들어갈 예정이며 이번 제품 개발로 업계 최초로 60나노급 DDR2 D램 전 제품을 확보한 상태입니다.
한정연기자 jyhan@wowtv.co.kr