삼성전자가 세계 최초로 관통전극형 칩 접속 방식인 WSP 기술을 적용한 4단 적층 D앰 칩과 모듈 개발에 성공했습니다. 이번에 개발된 제품은 512Mb DDR D램을 4개 적층한 2Gb 대용량 D램 적층칩과 4GB 모듈로 기존 D램 패키지의 데이커 처리 기술 속도의 한계를 극복한 특징이 있습니다. 한정연기자 jyhan@wowtv.co.kr