삼성전자는 차세대 반도체 패키징 기술인 '관통전극형 칩 접속방식'(WSP;Wafer－level processed Stack Package)'을 이용해 2Gb D램과 4GB D램 모듈을 세계 최초로 개발했다고 23일 밝혔다.

'반도체 패키징'은 여러 개의 칩을 상하로 쌓은 뒤 회로를 연결하는 기술.그동안에는 두 칩을 구리선으로 연결하는 멀티칩패키징(MCP) 기술이 주로 쓰였으나 삼성전자는 지난해 4월 웨이퍼에 구멍을 뚫어 칩과 칩간 회로를 직접 연결하는 'WSP'기술을 개발했다.

이 기술은 와이어 연결통로를 없앰으로써 칩 사이즈를 더욱 작게 만들 수 있고 소비전력도 낮출 수 있다는 게 특징이다.

삼성전자는 지난해 이 기술을 적용해 16Gb 낸드플래시 패키지 제품을 개발했으며,D램에 적용하기는 이번이 처음이다.

새로 개발된 제품은 512Mb(메가비트) DDR2 D램을 4개 쌓은 2Gb D램과 4GB(기가바이트) 모듈 등 두 가지로 각각 기존 제품 대비 면적은 15% 작고,두께는 50% 이상 얇다고 회사 측은 설명했다.

WSP 기술을 적용한 D램은 향후 PC와 네트워크 서버,휴대폰용으로 쓰이며 본격 양산은 2009년 이후에 시작될 예정이다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com