미국과 대만 독일 3국의 합동 연구진이 현재 널리 쓰이고 있는 플래시 메모리 칩보다 성능이 훨씬 뛰어난 최첨단 '상변화(phase-change)' 메모리 칩을 개발,칩 기술에 신기원을 여는 토대를 마련했다고 블룸버그와 AFP통신 등이 11일 보도했다.

미국 IBM과 대만 매크로닉스 인터내셔널,독일 키몬다 등 3사가 공동 개발한 상(像)변화 메모리 칩은 플래시 메모리 칩보다 속도가 500∼1000배나 빠르며 전력 소모량은 절반밖에 안 된다.

크기도 더 작다.

연구진은 이 칩의 크기를 22나노미터(nm·나노는 10억분의 1m)로 줄일 수 있다고 주장했다.

새 칩은 플래시 메모리 칩처럼 전원이 꺼지더라도 저장한 정보를 살릴 수 있으며 플래시 메모리에 비해 충전 능력이 뛰어나고 효율적이어서 상용화하면 훨씬 널리 쓰일 것이라고 외신들은 전했다.

연구진은 이럴 경우 컴퓨터는 물론 MP3나 디지털 카메라 기기 등이 더욱 첨단화할 것으로 기대하고 있다.

IBM의 나노 테크놀로지 분야 책임자 스파이크 나라얀은 "플래시 메모리 칩으로 할 수 없는 많은 것을 상변화 메모리로 할 수 있을 것"이라며 "삼성과 인텔도 상변화 메모리 소자를 개발 중"이라고 말했다.

연구진은 새 칩이 2015년께 최첨단 공장에서 상용화할 수 있을 것이라고 밝혔다.

이번 연구의 기술적인 세부 내용은 이번 주 샌프란시스코에서 열리는 '2006 국제 전자기기 회의'에서 소개된다.

안정락 기자 jiran@hankyung.com

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[ 용어풀이 ]

◆상변화(phase-change)메모리=플래시 메모리는 D램과 달리 소비전력이 작고 전원이 꺼지더라도 저장한 정보가 사라지지 않는 기억장치를 말한다.

IBM 등이 공동 개발한 상(像)변화 메모리는 플래시 메모리처럼 전원이 끊어진 뒤에도 다시 공급되는 비휘발성 메모리지만 전송속도가 빠르고 소비전력과 크기가 작은 새로운 칩이다.