하이닉스반도체가 업계 최초로 80나노 기술이 적용된 DDR2 D램에 대해 미국 인텔사의 인증을 받았습니다. 인증을 받은 제품은 80나노 512Mb DDR2 D램으로 1.8V의 동작전압에서 667Mbps와 800Mbps의 동작속도를 구현할 수 있는 제품 두 종입니다. 하이닉스는 이번 제품이 이전 공정 기술을 적용한 제품 대비 생산성이 1.48배 증가돼 원가 경쟁력이 크게 향상되는 효과를 가져올 것으로 밝혔습니다. 아울러 이 제품에는 3차원 트랜지스터 구조가 적용돼 재충전 시간이 개선되고 전력소모가 줄어드는 등 기존의 나노급 제품에 비해 안정적인 동작 특성을 갖는다고 설명했습니다. 하이닉스반도체는 올해 2분기부터 이번 인증 제품에 대한 양산 작업에 들어갈 예정입니다. 하이닉스 관계자는 "업계 최초로 80나노 DDR2 D램에 대해 인텔사의 인증을 받게 됨으로써 D램 업계에서 첫번째로 이 제품의 동작 성능을 대내외적으로 공식 인정받게 됐다는데 의의가 있다"고 설명했습니다. 조성진기자 sccho@wowtv.co.kr