반도체용 자외선 LED칩 국내 첫 개발
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산업자원부는 반도체 조명용 백색 LED(발광다이오드) 제작에 응용되는 3㎽(밀리와트)급 380nm(나노미터) 자외선 LED 칩이 한국광기술원 연구진에 의해 국내 처음으로 개발됐다고 7일 발표했다.
이번에 개발된 자외선 LED의 성능은 세계 최고 기술을 보유한 일본 니치아사화학의 상용 LED와 비슷한 출력을 갖고 있어 당장 위폐 감지기 등에 활용이 가능하다고 산자부는 설명했다.
또 20㎽급 380nm 자외선 LED 개발이 완료되는 2008년에는 반도체 조명산업과 의료·환경산업 등에 활용돼 연간 10억달러 이상의 수입 대체 효과를 가져올 것으로 기대된다고 산자부는 밝혔다.
자외선 LED는 400nm 미만의 파장을 갖는 질화물계 재료를 이용한 발광다이오드로 위폐 감지기,살균기,공기 및 수질 정화기,DNA 검출기 등에 쓰인다.
국내에선 삼성종합기술원과 LG전자기술원,에피밸리 등이 백색 조명용 405nm 청자색 LED를 개발 중이나 400nm 이하의 자외선 LED 개발은 처음이다.
박준동 기자 jdpower@hankyung.com