삼성전자가 세계 최초로 90나노 공정을 적용한 1Gb DDR2 D램의 본격적인 양산에 돌입했다고 밝혔습니다. 1나노는 사람 머리카락 굵기의 10만분의 1에 해당하며, 90나노 공정은 0.11㎛(미크론)급 공정 대비 약 40% 생산성 향상을 가져와 원가경쟁력을 획기적으로 높일 수 있는 차세대 공정기술입니다. 이번에 삼성전자가 양산하는 제품은 동작전압 1.8V의 90나노 1Gb DDR2 400/533/667로, 90나노 공정을 적용한 1Gb D램으로는 최초로 인텔의 인증도 획득했습니다. 삼성전자는 특히 동일 라인 동일 공정에서 마스크(MASK) 교체만을 통해 DDR2와 DDR을 함께 생산할 수 있는 'Combo Die' 공정법을 해 이르면 3분기부터 90나노 1Gb DDR 400 제품도 양산할 계획입니다. 이로써 삼성전자는 90나노 공정을 512Mb DDR, 512Mb DDR2, 512Mb 그래픽 DDR3에 이어 1Gb D램에도 조기에 적용함으로써, 차세대 나노급 D램 시장의 주도권을 더욱 확고히 유지하게 됐습니다. 한편, 반도체 시장조사 전문기관 데이터 퀘스터에 따르면 올해부터 D램 시장은 기존 256Mb D램에서 512Mb D램으로 시장 전환이 이뤄지고 있으며, 특히 1Gb D램의 경우 2008년 시장규모가 170억불에 달할 것으로 예상됩니다. 이에 따라 삼성전자는 올 4분기까지 90나노 1Gb D램 월 1백만개 생산체제를 갖추고 지속적으로 생산량을 늘려 나갈 예정입니다. 조성진기자 sccho@wowtv.co.kr