하이닉스반도체가 경기도 이천공장에서 300mm 웨이퍼 양산을 시작했다.


하이닉스는 내년에 대만 프로모스와 중국 우시 공장에서도 잇따라 300mm 양산체제를 가동할 예정이어서 반도체 생산효율을 크게 높일 수 있을 것으로 보인다.


하이닉스는 24일 이천 사업장 내에 300mm 전용 생산라인인 'M10' 공장 준공식을 갖고 300mm 웨이퍼를 생산하기 시작했다고 발표했다.


이번 라인은 하이닉스의 첫 300mm 팹으로 기존 200mm급 팹인 'M5' 공장을 리모델링해 건립됐다.


하이닉스는 90나노 공정으로 월 2만장 규모의 웨이퍼를 생산할 이 공장의 설비 도입 및 보완 투자 등에 총 1조원 정도를 투입한 것으로 알려졌다.


일반적으로 300mm 라인 하나를 짓는 데 25억달러가량이 투입되는 점을 감안하면 하이닉스는 상대적으로 1조원 이상의 투자비 절감효과를 거둔 셈이다.


하이닉스는 지난해 1월 M5 라인 장비 이전을 시작해 4월에 클린룸 개조공사 착수,7월 M10 장비 반입을 거쳐 올해 초 시험 생산에 들어갔다. 이 과정에서 경쟁사 대비 두 배 이상의 초기 수율 달성(90%대)과 최단시간 양산체제 구축 등의 신기록을 세웠다고 밝혔다.


하이닉스는 이번 M10 공장을 비롯해 지난달 말 기공식을 가진 ST마이크로사와의 중국 합작공장,전략적 제휴 관계인 대만의 파운드리(수탁생산)업체 프로모스 등을 통해 3개국에 걸쳐 300mm 웨이퍼 글로벌 생산체제를 구축하게 됐다. 프로모스는 내년 1월,중국 합작공장의 경우 내년 말께 300mm 양산에 들어갈 예정이다.


해외공장 가동으로 미국 일본 유럽 지역의 상계관세 부과 등 통상 문제도 순조롭게 해결될 것으로 회사측은 기대하고 있다.


한편 삼성전자는 2001년 9월 세계 최초로 300mm 라인(화성 11라인) 가동을 시작해 11라인에서 월 1만장,12라인에서 월 4만장을 생산하고 있다.


지난해 가을에는 13라인을 증설,생산량을 3만장으로 늘린 데 이어 오는 7월부터 복층 구조의 기흥 14라인에서 최초의 300mm 플래시메모리 전용 라인과 시스템LSI 라인을 가동한다.


조일훈 기자 jih@hankyung.com