미국내 차세대반도체 특허등록 삼성전자가 6위? .. 하이닉스는 3위 약진

세계 최대 메모리반도체 업체인 삼성전자가 미국내 차세대 반도체 특허등록에서 경쟁업체인 마이크론,인피니온,하이닉스반도체 등에 뒤진 6위에 머문 것으로 나타나 눈길을 끌고 있다. 6일 특허청이 1995년부터 2003년까지 D램과 플래시메모리 뒤를 잇는 F램,M램,P램 등 차세대 반도체에 대한 미국내 특허등록 현황을 조사한 결과 미국 마이크론사가 2백39건으로 1위에 올랐다. 이어 독일 인피니온사가 1백26건을 등록해 2위,하이닉스반도체가 1백25건으로 3위,미국 모토로라가 1백19건으로 4위에 랭크됐다. 삼성전자는 94건으로 일본 샤프와 함께 공동 6위에 머물렀다. 업계에선 메모리 반도체분야에서 가장 앞선 기술을 확보한 것으로 알려진 삼성전자가 정작 차세대 반도체 특허등록 순위에서 경쟁업체들보다 한참 뒤처진 것에 대해 다소 의아한 반응을 보이고 있다. 업계 관계자는 이와 관련, "삼성이 특허 등록에서 순위가 뒤처진 것은 첨단 기술유출을 우려해 특허출원과 등록을 의도적으로 기피한데서 비롯된 것으로 보인다"고 분석했다. 한편 이번 조사에선 F램,M램,P램 등 차세대 반도체 가운데 M램에 대한 특허등록이 가장 크게 증가하고 있는 것으로 나타났다. 임도원 기자 van7691@hankyung.com