삼성전자와 삼성SDI가 메모리 반도체와 PDP 신규라인에 대한 투자계획을 발표했다. 삼성전자는 16일 반도체 3백mm 웨이퍼 전용라인인 경기도 화성공장 12라인에 6천2백88억원을 추가 투자키로 했다고 밝혔다. 이에 따라 12라인에는 상반기 1단계로 1조4천억원과 지난 9월 5천50억원에 더해 총 2조5천3백38억원 규모의 투자가 이뤄지게 됐다. D램과 플래시 메모리가 생산될 12라인은 최근 양산체제에 돌입,현재 월 1만3천장의 웨이퍼가 투입되고 있으며 2단계 투자가 완결되는 내년 초에는 총 3만5천장의 웨이퍼가 투입될 예정이다. 3백mm웨이퍼는 표면적이 기존 2백mm웨이퍼의 2.25배나 돼 웨이퍼 한 장에서 생산되는 반도체 칩의 숫자도 그만큼 많아진다. 회사 관계자는 "이번 투자는 생산능력 최대화를 통해 원가경쟁력을 높이고 메모리 시장수요에 적기에 대응하기 위한 것"이라고 설명했다. 삼성SDI도 이날 PDP 3라인 건설을 위해 5천8백30억원을 투자하기로 했다고 발표했다. 충남 천안 공장에 건설되는 PDP 3라인은 42인치 PDP를 기준으로 월 최대 12만대를 생산할 수 있으며 내년 1월 착공에 들어가 10월 준공될 예정이다. 강동균 기자kdg@hankyung.com