삼성전자는 D램 S램 플래시메모리 등의 장점을 두루 갖춘 차세대메모리반도체인 F램(강유전체메모리) 모바일용 제품을 세계 처음으로 개발하는데 성공했다고 16일 발표했다. F램은 △D램처럼 동작속도가 빠르고 △플래시메모리처럼 전력이 끊겨도 데이터가 날아가지 않으며 △S램처럼 저전압 저전력의 특성을 보유하고 있어 모바일기기용으로는 최적의 메모리로 평가되고 있다. 특히 △제조공정이 단순하고 △제조원가도 낮으며 △기존 메모리 제조라인을 그대로 사용할 수 있다는 장점도 있다. 향후 휴대폰 PDA 스마트폰 스마트카드 네트워크 제품 등 모바일제품에서 S램을 비롯한 메모리를 대체할 것으로 기대되고 있다. 이번 제품의 동작전압은 3.0V이며 80ns(나노초=10억분의 1초)의 동작속도를 갖췄다. 그동안 용량 확대에 어려움이 있어 2백56킬로비트급 이하의 저집적도 제품만 일부 팔리고 있다. 지난 99년 8월 삼성전자가 샘플 수준의 4메가F램을 개발한 적이 있지만 실제로 휴대폰에서 완벽하게 동작할 수 있는 것으로 검증되기는 이번이 처음이다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com