삼성전자는 16일 세계 처음으로 회로선폭 90나노 양산기술을 확보했다고 발표했다. 또 이 기술을 적용해 세계 첫 2기가 플래시메모리 시제품을 생산했다고 밝혔다. 삼성전자는 3백㎜ 웨이퍼 시설에 대한 설비투자를 본격화해 내년 7월부터 월 2만장의 웨이퍼 가공을 시작할 예정이라고 밝혔다. 황창규 삼성전자 메모리사업부 사장은 이날 서울 신라호텔에서 '메모리전략 발표회'를 갖고 이같이 밝혔다. 황 사장이 이날 발표한 90나노 양산기술은 인텔과 TSMC보다 앞선 것으로 평가된다. 삼성전자 관계자는 연구단계에서는 70나노 기술개발에도 성공했다고 설명했다. 90나노(nm.10억분의 1m)로 만든 제품은 기존의 0.13㎛(마이크로미터.1백만분의 1m)기술 제품보다 칩의 크기가 3분의 1 수준으로 줄어든다. 삼성전자는 2기가 비트 플래시메모리칩 16개로 엄지손가락크기의 4기가바이트 메모리카드를 만들어 8시간 분량의 동영상(비디오테이프 4개)과 CD 70개 분량의 데이터를 저장할 수 있도록 했다. 황 사장은 3백㎜ 웨이퍼 생산라인에서 양산이 가능한 수율을 확보했다며 내년 7월부터 3백㎜ 전용라인에서 5백12메가 D램 및 1기가 D램을 양산할 계획이라고 밝혔다. 황 사장은 삼성전자의 올해 메모리 매출액은 71억달러로 세계시장의 24%를 차지할 것으로 예상된다고 밝혔다. 또 오는 2005년엔 매출액 1백40억달러로 메모리시장의 31%, 2010년에는 2백50억달러로 35%를 각각 차지할 것이라고 장기비전을 밝혔다. 황 사장은 이와 함께 3.4분기중 D램 현물시장 가격이 하락했음에도 불구하고 램버스D램, DDR(더블데이터레이트), 플래시메모리 등의 수출호조에 힘입어 메모리사업 매출액은 2.4분기보다 증가할 것이라고 말했다. 그는 이와 함께 IC인사이츠의 통계를 인용, 지난해 반도체업계 5위였던 삼성전자가 상반기중 TI ST마이크로 도시바 등을 제치고 2위에 올랐다고 소개했다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com