삼성전자는 회로선폭 70나노(㎚·1나노는 10억분의 1m)급 반도체를 만들 수 있는 핵심기술을 업계에서 처음으로 개발했다고 4일 발표했다. 이 기술은 '고유전막 공정'으로 초미세 공정에서 전자의 이동을 완벽히 차단해 최적의 반도체 성능을 구현할 수 있도록 하는 것이다. 삼성전자는 이 기술이 경쟁업체들에 비해 2년 정도 앞선 것으로 자체분석했다. 삼성전자는 나노급 반도체의 상용화가 2004년부터 본격화될 것으로 전망됨에 따라 이번에 개발한 기술을 올 하반기부터 90나노급 공정에,2004년부터는 70나노급 공정에 적용할 계획이다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com