삼성전자가 램버스 D램 시장 주력제품을 1백28메가 D램에서 2백56메가 D램으로 교체한다. 삼성전자는 7일 회로선폭이 머리카락 굵기의 6백66분의 1에 불과한 0.15미크론인 3세대 2백56메가비트 램버스 D램의 양산에 들어간다고 발표했다. 0.15미크론 공정기술은 0.19미크론 및 0.17미크론에 이은 3세대 회로 기술로 삼성은 1백28메가 램버스 D램 생산량을 점차 줄여 연말부터는 2백56메가 램버스 D램을 주력제품으로 삼을 계획이다. 삼성은 이번에 0.15미크론 공정의 적용으로 램버스 D램의 웨이퍼당 칩 생산량이 0.17미크론이 적용되는 공정보다 30% 이상 늘어났다고 밝혔다. 내부 신호처리 속도도 기존 8백㎒에서 1㎓ 이상으로 빨라졌다고 덧붙였다. 또 기존 1백28메가 램버스 D램은 일반 싱크로너스 D램보다 크기가 23% 정도 컸으나 2백56메가 제품은 SD램보다 불과 9% 정도 더 커 제품원가를 줄일 수 있게 됐다고 삼성은 설명했다. 삼성은 미세공정 기술 개발에 계속 나서 연말에는 0.13미크론 공정을 적용한 4세대 램버스 D램 제품을 생산할 예정이다. 보급형 램버스 D램인 '4뱅크(Bank)' 제품도 2002년 상반기에 선보일 계획이다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com