삼성전자는 1.8V 저전력의 1백28메가 NAND(데이터저장용)형 플래시메모리를 개발,이달 말부터 양산에 들어간다고 14일 발표했다. 이 제품은 2.7∼5.5V 수준이던 기존 제품들의 전력소비를 크게 낮추고 크기를 획기적으로 줄여 PDA 디지털캠코더 MP3 등 휴대용 디지털기기에 적합하다. 삼성측은 이번 제품이 인텔 AMD 등이 거의 독점하고 있는 NOR 플래시메모리 시장을 대체할 수 있을 것으로 전망했다. 이심기 기자 sglee@hankyung.com