삼성전자는 0.13미크론(1미크론은 1백만분의 1m)급 미세공정 기술을 적용한 IMT-2000(차세대 영상이동통신) 휴대전화용 8Mb(메가비트) 저전력형 S램을 세계 최초로 개발했다고 19일 발표했다.

이번에 개발된 저전력형 S램은 1㎂(마이크로 암페어) 이하의 저소비 전류로 2.5V에서 55나노세크(1나노세크는 10억분의 1초)의 고속 데이터를 처리할 수 있어 IMT-2000 휴대전화에 적합하다고 삼성은 설명했다.

이 회사는 기존 제품보다 크기를 30% 이상 축소할 수 있는 0.13미크론의 8Mb S램을 내년 초부터 본격 양산할 계획이다.

삼성전자는 이번에 0.13미크론급 미세공정 기술 적용을 시작으로 내년에 0.10미크론,2003년에 0.08미크론급 S램 제품을 개발한다는 전략이다.

삼성전자는 올해 S램에서 23억달러의 매출을 거둬 세계시장 점유율 30%를 차지할 수 있을 것으로 전망했다.

한편 시장조사기관인 데이터퀘스트는 S램 반도체의 최대 수요처인 휴대전화 시장이 당분간 연평균 25%의 고속 성장세를 유지,올해 5억2천만대에서 2004년에는 10억대 규모로 늘어날 것으로 내다봤다.

이익원 기자 iklee@hankyung.com