삼성전자는 19일 0.13미크론(백만분의 일 미터)급 미세공정기술을 적용한 IMT-2000 휴대폰용 8메가비트 저전력형 S램을 세계최초로 개발해 내년 초부터 본격 양산에 들어간다고 밝혔다.

삼성전자 관계자는 "이번 0.13㎛급 미세공정기술 적용을 시작으로, 내년 0.10㎛, 오는 2003년 0.08㎛급 S램 제품개발 로드맵을 가지고 있어 경쟁 업체와의 격차는 더욱 것"이라고 전망했다.

이번에 개발된 저전력형 S램은 8메가비트의 용량과 1 마이크로 암페어 이하의 저소비전류, 2.5V에서 55 나노세컨드의 고속 데이터 처리능력을 동시에 갖고 있어 IMT-2000 휴대폰에 적합하다고 설명했다.

시장조사기관 데이터퀘스트는 S램 반도체의 최대 시장인 휴대폰시장이 연평균 25%의 고속 성장세를 유지해 올해 5억2,000만대에서 오는 2004년 10억대의 시장을 형성할 것으로 내다봤다고 설명했다.

삼성전자 관계자는 "올해 S램에서 매출 23억달러, 세계시장 점유율 30%를 목표로 하고있다"고 말했다.

한경닷컴 김은실기자 kes@hankyung.com