차세대 전력용 반도체 소자로 주목받고 있는 ''6백V급 MOS(Metal Oxide Semiconductor)구동 사이리스터''가 국내에서 개발됐다.

서울대 한민구 교수팀은 6백V급 MOS구동 사이리스터 설계기술 연구를 통해 시제품을 개발했다고 11일 밝혔다.

사이리스터(Thyristor)는 고압 대전류 회로의 스위칭에 이용되는 전력용 소자다.

한 교수팀이 개발한 ''MOS 구동 사이리스터''는 스위치가 켜진 상태에서의 낮은 전압강하로 인한 전력손실을 최소화할 수 있다.

또 회로설계가 기존 사이리스터에 비해 간단하고 주파수 특성이 좋다는 장점이 있다.

이 때문에 모터제어,인버터 등의 분야에서 요구되는 고속스위칭,대용량화,절전화에 없어서는 안될 핵심제품으로 평가되고 있다.

현재 세계적으로 MOS 구동 사이리스터의 시장은 아직 초기단계지만 제품의 상용화 목표시점인 2005년 기존 사이리스터 등을 대체할 경우 시장규모는 약 12억달러에 달할 것으로 예상된다.

국내의 경우도 이들 제품이 핵심 부품으로 이용되는 전력 전자기기의 국내 생산 증가율이 연평균 17.6%에 달해 수요가 클 것으로 전망된다.

송대섭 기자 dssong@hankyung.com