[산업II면톱] 현대전자, '256메가 SD램' 내년 1분기 양산

현대전자는 회로선폭 0.15미크론m(미크론, 1미크론은 1백만분의 1m)의
초미세 공정기술을 적용한 2세대 2백56메가 싱크로너스(S)D램 상용제품을
개발했다고 8일 발표했다.

이 반도체는 회로선폭을 미세하게 하고 자체개발한 IMC(Inner MPS
cylinder)기술을 적용함으로써 기존 제품보다 칩 크기를 40%정도 줄인게
특징이다.

이에따라 웨이퍼 한 장당 칩 개수(넷 다이)를 70%이상 늘림으로써 생산성을
크게 높일수 있게 됐다.

IMC 기술은 I자형을 기본으로 한 집적구조에 홀을 형성, 메모리 구성요소인
셀 구조를 개선함으로써 칩 크기를 줄이고 기억용량을 결정하는 전하저장
유효면적을 증대시켜 칩에 대한 신뢰성을 높일수 있다고 현대측은 설명했다.

현대는 IMC기술을 이용해 현재 양산에 적용중인 1세대 2백56메가 SD램
공정 설비로 회로선폭 0.15미크론m 2백56메가 SD램을 만들수 있게 돼
신규투자 없이 원가경쟁력을 대폭 향상시킬수 있게 됐다고 덧붙였다.

현재 생산중인 2백56메가 SD램은 회로선폭이 0.18미크론m이며 64메가와
1백28메가는 0.20미크론m에서 0.18미크론m으로 바뀌고 있는 추세다.

이번에 선보인 2세대 2백56메가 SD램은 21세기초 메모리 반도체시장의
주력제품이 될 것으로 예상되는 제품으로 칩 하나에 2백자 원고지 8만4천장에
해당하는 데이터를 저장할수 있다.

3.3V의 외부전압을 사용하고 데이터 처리속도 1백66MHz를 지원한다.

현재 시판중인 인텔사의 전 CPU(중앙연산처리장치)를 지원할수 있으며
중대형 컴퓨터, 워크스테이션, 그래픽용 시스템 등에도 채용이 가능하다.

현대는 내년 1.4분기부터 이 제품 양산에 들어가 7천만개로 예상되는
세계시장의 20% 이상을 차지할 계획이다.

이와함께 0.15미크론m 초미세 공정기술을 현재 주력제품인 64메가 및
1백28메가 D램에도 적용, 내년중 양산할 예정이다.

현대전자 김세정 부사장(메모리연구소장)은 "이번에 개발한 IMC 기술은
기존 64메가 D램 생산장비를 그대로 사용할수 있는 장점이 있다"며 "2세대
2백56메가 SD램 개발로 메모리 반도체의 급격한 세대교체에 주도적으로
대응할수 있게 됐다"고 밝혔다.

< 강현철 기자 hckang@ked.co.kr >

( 한 국 경 제 신 문 1999년 11월 9일자 ).