D램과 스태틱(S)램, 플래시 메모리의 장점만을 결합한 4메가비트 용량의
복합 반도체가 국내업체에 의해 세계 처음으로 개발됐다.

삼성전자는 다양한 메모리 반도체 제품군을 한개의 칩으로 통합한 4메가
F램(Ferro electric RAM.강유전체 메모리 반도체) 개발에 성공했다고 21일
발표했다.

F램은 설계가 쉽고 대용량의 정보저장이 가능한 D램과 정보처리 속도가
빠른 S램, 전원이 꺼져도 기억정보가 지워지지 않는 플래시 메모리의 장점
만을 모아 한개의 칩에 집적화시킨 신개념의 복합 반도체이다.

현재 미국의 램트론, 일본의 로옴 등 일부 업체들이 F램을 생산하고 있으나
삼성 개발품보다 용량이 작은 2백56K급이다.

삼성의 4메가 F램은 256K F램보다 정보저장 용량이 16배다.

삼성전자는 F램 반도체의 큰 걸림돌이었던 대용량화 기술을 자체 개발해
메가급 제품을 경쟁사보다 2년정도 앞서 선보임으로써 차세대 시장을 주도할
수 있게 됐다고 설명했다.

특히 D램, S램, 플레시메모리 등을 F램 한개로 대체할 수 있어 휴대용단말기
(PDA), 스마트폰 등 각종 휴대형 통신기기를 보다 작게 만들수 있게 됐다고
덧붙였다.

F램은 성능이 뛰어나지만 용량확대 기술의 어려움으로 현재 게임기를 비롯한
일부 제품에만 사용되고 있다.

삼성은 이 제품의 샘플을 올해말 관련업체에 공급한후 오는 2001년 상반기
부터 양산에 들어갈 계획이다.

F램 시장은 내년부터 본격 형성되기 시작해 2005년쯤엔 연간 1백50억달러로
커질 것으로 예상되고 있다.

< 박주병 기자 jbpark@ >

( 한 국 경 제 신 문 1999년 7월 22일자 ).