LG실트론, 고집적메모리용 실리콘웨이퍼개발 성공

LG화학 자회사인 LG실트론은 8인치 에피텍시얼 실리콘 웨이퍼 개발에 성공,
양산에 들어갔다고 2일 발표했다.

에피텍시얼 실리콘 웨이퍼는 기존 실리콘 웨이퍼위에 단결정층을 입힌 것으
로 표면결함이 적고 전기적 특성이 우수해 비메모리 반도체와 64메가 D램,25
6메가 D램 등 고집적 메모리 반도체 제조에 특히 적합한 것으로 알려져 있다.

실제로 에이텍시얼 웨이퍼의 네 다이(Net Die) 수율이 기존제품에 비해 10%
이상 높아 도시바 히타치 후지츠 IBM 지멘스 등은 이미 이 웨이퍼를 64메가 D
램의 주력소자로 사용하고 있다고 LG는 설명했다.

국내에서는 256메가 D램의 소자로 이 웨이퍼를 사용하는 목표아래 현재 시험
을 하고 있다.

에피텍시얼 웨이퍼는 D램등 지난해 세계시장 규모는 24억달러 정도였다.

2001년에는 50억달러 규모로 성장할 것으로 예상되고 있다.

LG실트론은 올해 안으로 1백억원을 투자,연간 에피텍시얼 실리콘 웨이퍼 10
만장 생산규모의 설비를 갖추고 내년까지 21만장,2002년까지 60만장으로 생
산능력을 확대할 계획이다.

LG실트론 관계자는 "국산화 성공으로 수입대체효과는 물론 국내반도체 산업
경쟁력 강화에 크게 기여할 것"이라고 말했다.

권영설 기자 yskwon@

( 한 국 경 제 신 문 1998년 7월 3일자 ).