현대전자, 1기가 싱크로D램 개발 .. 김영환 사장 일문일답

-삼성전자가 작년말 개발한 1기가D램과는 어떤 차이가 있는가.

"삼성은 일반 웨이퍼를 이용했고 우리는 SOI를 사용한 점이 다르다.

SOI는 아직 비메모리분야에서만 쓰이고 있으나 기술장벽을 뛰어넘어
메모리분야에 적용한게 획기적이라고 할수 있다.

여러 장점때문에 이 웨이퍼를 사용한 반도체가 앞으로 크게 늘것으로
본다"

-이번에 발표한 1기가 싱크로너스D램의 개발단계는 어느 수준인가.

"칩내부의 모든 구성소자가 완벽하게 작동하는 풀리워킹다이(fully
working die)수준이다"

-기술개발과 관련해 대외적으로 인정받은 사항이 있는가.

"기술내용은 국제전기및 전자공학회의 논문지 97년 3월호에 실려 학술적
가치를 인정받았다.

여러건의 특허도 출원할 계획이다"

-개발의 의의는.

"이 기술은 일본이나 미국도 아직 개발하지 못했다.

따라서 현대전자가 메모리반도체 기술에서 세계 정상에 올라섰다는데
의의가 있다."

<김낙훈 기자>

(한국경제신문 1997년 5월 13일자).