삼성전자 현대전자 LG반도체등 반도체 3사가 일반 메모리반도체보다 가
격이 15~30% 높은 싱크로너스D램 또는 램버스D램 등 고속반도체의 생산량을
대폭 확대할 움직임을 보이고 있다.

23일 삼성전자는 16메가 D램 전체 생산에서 싱크로너스D램이 차지하는
비중을 3월현재5%에서 연말까지 25~30%로 늘릴 계획이라고 밝혔다.

지난해 2백56메가 싱크로너스 D램을 개발한 현대전자도 현재는 16메가 싱
크로너스D램의 생산량을 전체 16메가D램 생산량의 5%선에 묶어두고 있으나
시장상황에 따라 생산량을 대폭 늘릴 방침이다.

LG반도체는 최근 개발한 18메가 램버스D램을 올해 2백만개 생산하고 내년
에는 1천만개,98년 3천2백만개 등으로 생산량을 대폭 확대할 계획이라고 밝
혔다.

일본업체들의 경우 NEC사가현재 동급 일반 D램 생산량의 10%선인 16메가
싱크로너스D램의 생산비중을 연말까지 25%로 높일 계획이며 도시바도 올해
안에 15%,내년말까지는 50%선으로 확대할 방침인 것으로 알려졌다.

업계 관계자들은 일반 메모리반도체가 경기논쟁에 휩싸이는 등 향후 시장
전망이 불투명해지자 반도체 업체들이 일반 메모로반도체에 비해 부가가치
가 높고 이제 막 시작이 형성되기 시작한 고속 메모리 반도체의 생산량을
늘리고 있다고 말했다.

< 조주현기자 >

(한국경제신문 1996년 3월 24일자).