LG반도체는 오는 2000년까지 세계 30곳에 연구개발기지를 설립키로 하고
그 첫 단계로 영국 런던에 R&D센터를 설치했다고 19일 발표했다.

이 회사는 앞으로 6년안에 세계 주요 거점별로 R&D센터를 세워 글로벌
연구개발 네트워크를 구성한다는 내용의 기술개발전략을 확정, 해마다 해외
5개지역에 기술연구센터를 설치할 계획이라고 밝혔다.

LG는 영국 R&D센터를 연구개발과 ASIC(주문형 반도체) 디자인 등 2개 부분
으로 구성, 차세대 멀티미디어용 반도체와 특수형 반도체 설계기술을 개발
한다고 밝혔다.

이와함께 현지 대학과의 공동연구등을 통한 기초기술확보를 추진할 계획
이라고 설명했다.

LG는 영국 R&D센터에 국내 연구원 7~8명을 파견하고 현지 기술개발인력을
적극 채용할 방침이라고 덧붙였다.

< 조주현기자 >

(한국경제신문 1995년 10월 20일자).