현대전자는 반도체 칩의 크기를 기존 제품의 절반으로 축소, 웨이퍼당
생산량을 배이상 늘릴수 있는 2세대 4메가S램을 개발했다고 5일 발표했다.

이 회사는 이제품은 64메가D램과 같은 회로선폭인 0.35미크론m(1미크론m는
1백만분의 1m)으로 설계, 97년부터 양산키로 했다고 밝혔다.

현대는 이 제품이 2.4V의 저전압에서도 작동이 가능한 절전형으로
35나노초(1나노초는 10억분의 1초)의 데이터 처리속도를 갖고 있다고
설명했다.

또 통신기기와 위성통신용 단말기등 배터리를 전원으로 사용하는 제품에서
안정되게 사용할 수 있도록 폴리실리콘 박막 트랜지스터 기술을 적용했다고
덧붙였다.

이 회사는 세계 4메가 S램 시장이 오는 98년께 본격 형성될 것으로 보고
이 제품을 오는 97년부터 양산, 고속S램 시장을 선점한다는 계획이다.

<<< S램 >>>

전원이 끊어지면 반도체 내에 입력된 정보가 모두 지워지는 D램과 달리
전류에 상관없이 정보를 계속 유지할수 있는 메모리 반도체.

그러나 D램보다 정보전달 속도가 느리다는 단점도 있다.

< 조주현기자 >

(한국경제신문 1995년 10월 6일자).