금성사와 금성알프스전자및 금성통신이 저전압 전력트랜지스터와 모듈및 회
로기술을 각각 개발,휴대용전화기의 소형경량화의 핵심부품을 국산화했다.

22일 금성사는 저전압에서도 작동할 수 있는 전력트랜지스터를,<>금성알프
스전자는 신호증폭용 전력모듈 <>금성통신은 휴대전화기 회로기술을 모두 23
억원을 들여 개발했다고 밝혔다.

금성사가 개발한 전력트랜지스터는 3.6V전압에서도 기존 4.8V제품과 동일한
전력효율을 갖고있다.

또 플라스틱패키지를 사용,기존 세라믹패키지보다제조비용이 10분의 1로 줄
어들었다.

금성알프스전자는 전지의 수를 4개에서 3개로 줄인 전력모듈을 제조했으며
금성통신은 이를 이용해 휴대용전화기의 회로기술을 개발했다.

금성사는 이번에 개발한 제품이 개인휴대단말기등 차세대 정보통신기기의
핵심부품으로 사용될 것이라며 내년말부터 이기술을 응용,1백50g대의 초소형
휴대용전화기를 본격 양산할 방침이라고 밝혔다.



(한국경제신문 1994년 11월 23일자).