휴대용전화기 핵심부품 MESFET소자 개발...전자통신연구소

차세대 초경량 휴대용전화기(휴대폰)의 핵심부품으로 3. 3V의 전압에서
작동되는 GaAS(갈륨비소)MESFET(금속반도체전계효과트랜지스터)전력소자가
개발됐다.
전자통신연구소는 21일 반도체연구단 박형무박사팀이 체신부연구과제로
3.3V전압에서 작동되며 최대출력 1. 6W,전력변환효율 64%인 차세대 초경량
핸드폰의 GaAS MESFET 전력소자를 개발했다고 발표했다.

박박사팀은 이 소자는 작년2월 개발한 4.7V 전압에서 작동되는 전력소자를
더욱 발전시킨 것이라고 밝혔다.

그는 이번에 개발한 갈륨비소 MESFET전력소자는 작년10월 일본 마쓰시타에
서 개발한 소자(동작전압 3. 5V,출력 1. 4W,효율 65%)보다 성능이 우수하다
고 말했다.