금성일렉트론이 초고속 D램인 램버스D램 반도체를 생산한다.

금성일렉트론은 6일 미국램버스사로부터 램버스D램 설계기술과 특허실시
권을도입,내년 하반기부터 16메가 램버스D램 생산에 들어간다고 밝혔다.

램버스D램은 미국 반도체전문기술회사인 램버스사가 설계기술을 개발,지
난해10월 특허권을 획득한 최신 기술제품이다. 이제품은 전송속도가 10나
노초(1나노초는 10억분의 1초)이하인 고속데이터 전송용 반도체로 일본의
반도체업체인 히타치 도시바 NEC등이 지난해 램버스사와 기술제휴를 맺고
4메가D램을 생산하기 시작,올들어 시장이 형성되고 있는 첨단기술분야다.