국내 반도체산업이 치열한 기술경쟁에서 살아남기위해서는
전자공명(ECR)현상이용 에칭시스템 신경망컴퓨터 칩등 첨단기술을 오는
2000년까지 개발,실용화해야 할것으로 예측되고있다.

생산기술연구원이 반도체및 반도체장비분야 전문가 39명을 대상으로
실시한 기술예측조사결과 <>ECR에칭시스템 <>X선용 SOR(싱크로트론 오비탈
라디에이션) <>16메가급 이상 초고속 스피드 플래시 EEPROM
<>신경망컴퓨터용 칩 <>고집적과 정보처리속도의 고속화를 위한 3차원
적층회로소자 <>차세대반도체 재료인 실리콘 카바이드(SiC)재료및 응용소자
<>고속멀티미디어 칩세트 <>극소형센서 <>GaAs(갈륨비소)ASIC(특정용도용
집적회로) <>B-ISDN(광대역종합정보통신망)용 광IC(집적회로)등 10개기술이
2000년이내에 확보해야할 핵심기술로 선정됐다.

이중에서 가장 우선적으로 개발돼야할 기술은 중요도에서 92점을 받은
ECR에칭시스템인 것으로 조사됐다. 생기연은 이에칭시스템이 소자의
오염및 손상을 최소화기 위해 필요한 저압조건에서의 고밀도
플라즈마형성에 필수적인 기술이라고 설명했다.

3차원 적층회로소자(91점)와 16메가급이상 초고속 스피드 플래시
EEPROM(90점)도 시급히 개발,실용화되어야할 기술로 꼽혔다. 시스템에
필요한 기능소자를 한개의 칩에 집적한것이 3차원 적층회로소자로
일본에서는 이미 80년대부터 국가주도로 이분야에 대한 연구가
수행되고있다.

10개 핵심기술 확보를 위한 연구는 산.학.연공동으로 이뤄지는 것이 가장
효율적일 것으로 예상됐다. 기업 주관으로 연구개발해야 바람직하다는
응답은 평균 54.3%에 그친것으로 드러났다.

신경망컴퓨터용 칩(38%)X선용 SOR(28%)SiC재료및
응용소자(24%)극소형센서(24%)B-ISDN용 광IC(18%)등의 경우 연구개발
주체로서 기업이 적절하다는 응답률이 평균보다 낮은것으로 나타나 업체가
단독으로 개발에 나서기보다는 산.학.연협력연구가 더욱 효과적일것으로
분석됐다.

국내자체기술력만으로 이들 예측기술을 성공적으로 개발할수있다는 응답은
평균 69.1%에 달했으며 분야별로 큰차이를 보였다. 전문가들은
초고속스피드플래시 EEP ROM(93%)신경망컴퓨터용 칩(86%)극소형
센서(86%)등의 자체개발이 가능하다는데 긍정적 반응을 보였다.

이와는 달리 X선용 SOR의 경우 자체개발할수있다는 응답은 14%에
불과했다. 국제공동연구와 기술도입이 각각 72%와 14%를 차지,선진국과의
기술교류가 필수적인것으로 평가됐다. B-ISDN용 광IC도
국제공동(50%)자체개발(46%)기술도입(4%)등의 순으로 연구개발 전략이
제시돼 선진기술도입을 적극 추진해야할것으로 지적됐다.
기술확보를 가로막는 가장 큰 걸림돌로는 응답자의 89.3%가 기술적인
문제를 꼽았다. 간접시설 시장규모등 사회적및 경제적문제보다는 기술력
향상이 이들 핵심기술 실용화를 위해 시급히 해결해야할 과제로 제시된
것이다.

신경망컴퓨터용 칩과 초고속스피드플래시 EEPROM의 경우 개발시의
제약요인이 기술적인데 있다는 응답이 97%에 달했다. 생기연은
신경망컴퓨터용 칩과 관련,국내에 기초퍼지이론이 활용된 가전제품이 일부
있지만 문자 화상 음성인식에 대한 첨단기술연구는 미진한 상황이라고
밝혔다. 퍼지이론 신경망알고리즘등 이분야 핵심요소기술의 국내수준이
선진국의 30%에 불과하다는 것이다. 플래시 EEPROM의 경우 공정기술축적이
제대로 이뤄지지 않고 있다는게 생기연의 분석이다.

정부의 지원방안으로는 연구개발투자확대가 가장 우선돼야 할 시책으로
조사됐다. 연구개발및 양산체제설비제조에 들어가는 막대한 자금을
지원해주는 것이 필요하다는 주장이다. 생기연은 이와함께 기억소자에만
편중된 연구개발활동및 생산기술체제,제조장치산업및 원자재산업등
반도체기반기술의 취약성,북미시장 편중의 불균형수출구조등을 고치는데
정부 학계 업계의 힘이 모아져야 할 것이라고 주문했다.

<오광진기자