현대전자가 0.6미크론급 4메가S램 반도체를 개발했다.

24일 현대는 이번에 개발한 4메가S램이 TFT(박막트랜지스터)부하형
기억소자를 채용,2.7V의 저전압에서도 안정적으로 작동할뿐아니라
0.6미크론의 미세회로가공기술이 활용돼 기존제품보다 10%이상 규모가
축소됐다고 밝혔다.

정보처리속도가 10억분의55초(55NS)인 이 반도체는 휴대형PC를 비롯한
소형전자시스템에 장착되는 제품으로 현대는 내년 상반기중 이를 량산할
계획이다.

현대는 이반도체의 정보처리속도를 20NS로 개량한 반도체도 내년중 선보일
예정이라고 설명했다.

S램은 전원공급이 지속될때 기억된 정보가 소멸되지 않는 기억소자로
일정시간이 되면 정보가 지워지는 D램에 비해 집적도는 떨어지지만 진동에
대한 저항력이 강해 소형전자제품에 주로 장착되고 있다.