초고속통신시스템등의 핵심소자인 갈륨비소(GaAs)초고속트랜지스터가
국내에서 개발됐다.
28일 포항공대는 전자전기공학과 정윤하교수팀이 GaAs계 초박막트랜지스터
를 개발했다고 밝혔다.
정박사는 이소자가 15기가헤르츠까지 동작해 기존의 트랜지스터보다 동작
속도가 수십배이상 빠르다고 설명했다. 또 유기금속기상결정성장법(MOCVD)
으로 제작돼 기존의 분자선성장기술(MBE)로 만든 것보다 성능이 우수하고
생산단가가 낮으며 대량생산이 가능하다고 강조했다.