금성기전이 금성중앙연구소와 공동으로 갈륨알루미늄아세나이드(GaAlAs)
2중접합구조를 채용한 초고휘도 적색LED(발광다이오드)를 개발했다.
12일 김성은 갈륨알루미늄아세나이드를 사용해 개발된 이제품이
1천밀리칸델라이상의 휘도를 낸다고 밝혔다.
이같은 초고휘도 LED는 국내에서 처음 개발된 것으로 태양빛 아래에서도
식별이 가능,LED전광판등의 옥외표시용소자로 쓰인다.
갈륨인(GaP)을 이용한 기존 LED는 10밀리칸델라 전후의 낮은 휘도를
내고있다.
김성은 LED의 핵심기술인 LPE(액상성장법)와 소자설계의 기술개발에
중점을 두어 독자구조의 소자를 설계하고 이를 최적화,이번에 전과정
제조기술을 독자적으로 확립했다.