고전자이동도 (HEMT) 소자 국내 제작...한국통신연구소

동작속도가 빠른 HEMT(고전자이동도)소자가 우리나라에서도 제작됐다.
2일 한국전자통신연구에 따르면 화합물반도체연구부 김진섭박사팀이
HEMT소자제작에 필요한 주요 단위공정을 개발, 이를 이용해 HEMT 소자를
제작했다는 것이다.
이성과는 과기처 특정연구과제인 갈륨비소 초고속집적회로개발사업의
세부연구과제인 초격자성장및 물성분석기술개발을 통해 얻어진 것.
김박사팀은 반절연성갈륨비소기판에 0.02-0.04미크롬 (1미크롬은
100만분의 1m) 두께의 GaAsi-AlGaAsn-AlGaAs GaAs층을 성장시킨후
소스(Source) 드레인(Drain) 게이트(Gate)를 형성시켜 HEMT소자를 말들었다.
이소자는 소스와 드레인사이의 간격이 10미크롬, 게이트의 길이와 폭이
2.8미크롬및 100미크롬이며 상호건덕턴즈는 최대 46.1MS/mm로 측정됐다.
*** 2-3년내 기존소자보다 5배빠른 HEMT기본소자 개발 예정 ***
김박사는 "이 측정치는 외국에 비해 훨씬 떨어지는 수준"이라고 밝히면서
"이를 향상시키기 위한 공정, 그중에서도 특히 게이트형성에 관련된
최적공정조건확립을 집중연구해 2-3년이내에 기존 실리콘소자보다 5배가량
빠른 HEMT기본소자를 개발할 계획"이라고 덧붙였다.
HEMT소자는 화합물반도체인 갈륨비소(GaAs)와 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)를
이종접속시킴으로써 그접합계면에 2차원자자가사 (2DEG)층 채널 형성시켜
동작속도및 상호컨덕턴스 (Transconductance)를 향상시킨 소자이다.