삼성전자는 메모리 반도체 분야에서 5세대 10나노급(1b) D램, 8세대·9세대 V낸드를 포함한 차세대 제품 로드맵을 선보였다.
현재 D램은 4세대 10나노급이 생산 중이다. 데이터를 저장하는 셀을 수직으로 쌓는 V낸드는 7세대를 양산하고 있다.
삼성전자는 올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품을, 내년에는 5세대 10나노급 D램을 양산할 예정이다.
8세대 V낸드 512Gb TLC 제품은 7세대와 비교해 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상했다. 이는 512Gb TLC 제품 가운데 업계 최고 수준이다.
더불어 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1,000단 V낸드를 개발하는 등 혁신제품을 지속해서 내놓을 방침이다.
1000단 V낸드는 현재 176단의 7세대 V낸드보다 저장 용량이 5배 이상 크다.
삼성전자는 시스템 반도체 분야에서 SoC, 이미지센서, 모뎀, DDI, 전력 반도체(PMIC), 보안솔루션 등을 아우르는 약 900개의 시스템 반도체 포트폴리오를 보유하고 있다고 밝혔다.
그러면서 제품 기술을 융합한 플랫폼 솔루션으로 고객 수요에 최적화한 통합 솔루션을 제공해 나갈 계획이라고 설명했다.
삼성전자는 SoC에서 NPU, 모뎀 등과 같은 주요 IP의 성능을 향상시키는 동시에 글로벌 파트너사들과 협업해 최고 수준의 CPU, GPU를 개발하는 등 SoC의 핵심 경쟁력 강화할 계획이다.
여기에 사람의 눈에 가까운 초고화소 이미지센서를 개발하고 사람의 오감(미각, 후각, 청각, 시각, 촉각)을 감지하고 구현할 수 있는 센서도 개발할 예정이다.
올해 3년 만에 오프라인으로 개최된 삼성 테크 데이는 글로벌 IT 기업과 애널리스트, 미디어 등과 삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장, 시스템LSI사업부장 박용인 사장, 미주총괄 정재헌 부사장을 포함해 800여 명이 참석한 가운데 진행됐다.
정재홍기자 jhjeong@wowtv.co.kr
