SK하이닉스, EUV D램 양산 돌입…스마트폰 제조사에 공급

SK하이닉스가 극자외선(EUV) 미세공정이 처음 적용된 10나노급 4세대(1a) 모바일 D램 양산에 돌입했다.

SK하이닉스는 이달 초부터 차세대 10나노급 4세대(1a) 미세공정이 적용된 8Gbit(기가비트) LPDDR4 양산을 시작했다고 12일 밝혔다.

LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 스마트폰 등 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다.

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있으며, 1a는 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)를 잇는 4세대 기술이다.

앞서 미국의 마이크론도 지난달 4세대 D램인 1α기반(1a와 동일)의 LPDDR4x 양산에 들어갔다고 밝힌 바 있다.

SK하이닉스 관계자는 "플래그십 스마트폰 시장에서 LPDDR5 모바일 D램의 채용이 시작됐지만 아직 스마트폰의 주 채용 제품은 LPDDR4"라면서 "이에 LPDDR4를 1a 첫 제품으로 양산하게 됐다"고 말했다.

SK하이닉스는 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품을 하반기부터 스마트폰 제조사들에 공급할 예정이다.

이 제품은 D램 가운데 극자외선(EUV) 공정 기술이 처음 적용됐다.

앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다.

SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산할 방침이다.

SK하이닉스는 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높였다.

1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났다.

올해 전세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 할 것으로 회사측은 기대하고 있다.

신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4천266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄인 것이 특징이다. 저전력 강점을 보강함으로써 탄소 배출을 줄여 ESG(환경·사회·지배구조) 경영에도 부합하는 모델이다.

SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어, 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.

1a D램 TF장 조영만 부사장은 "이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품"이라며 "EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것"이라고 말했다.

이영호기자 hoya@wowtv.co.kr

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