삼성전자는 세계 최초로 20나노급(1나노: 10억분의 1미터) 4Gb(기가비트) 모바일 D램을 양산한다고 17일 밝혔다.

최근 쿼드코어 중앙처리장치(CPU)를 탑재한 스마트폰 등 고성능 모바일 기기들이 잇따라 출시되는 가운데 빠른 처리속도와 장시간 배터리를 지원하는 저전력 대용량 메모리에 대한 수요도 늘고 있다.

삼성전자는 지난 3월 20나노급 8GB DDR3 노트북 모듈을 양산한데 이어 4Gb 저전력 DDR2 D램을 양산하며 업계 최대의 프리미엄 4Gb D램 라인업을 확보했다.

이번 제품군은 '저전력','대용량', '고성능'이라는 특성을 유지하면서도 최소 칩 사이즈로 슬림한 디자인을 가능하게 했다.

삼성전자 관계자는 "모바일 제조업체들이 점점 더 얇은 기기를 만들어가는 추세"라며 "0.8mm 초박형 칩을 공급함으로써 시장에서 더욱 확고한 경쟁 우위를 점하게 됐다"고 설명했다.

20나노 4Gb 모바일 D램을 4단 적층한 16Gb(2GB) 제품은 30나노 4Gb D램 4단 적층 제품에 비해 두께는 20% 줄어들고, 최대 1066Mbps 속도를 내 4Gb 시장을 더욱 빠르게 성장시킬 것으로 전망된다.

홍완훈 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "20나노급 4Gb 양산으로 프리미엄 메모리 시장을 더욱 차별화시킬 수 있게 됐다"며 "올 하반기에는 20나노급 D램 비중을 늘리면서 4Gb D램을 메인 제품으로 자리 잡게 할 것"이라고 말했다.

시장 조사 기관 아이서플라이에 따르면 4Gb D램의 생산비중은 올해 13%에서 2014년 63%까지 확대될 것으로 예상된다.

한경닷컴 권민경 기자 kyoung@hankyung.com