메모리 반도체 업황이 회복 기미를 보이는 가운데 국내 기업간 기술개발 경쟁이 뜨겁게 달아오르고 있습니다. 특히 이번에 선보인 삼성전자와 하이닉스의 반도체 기술력은 해외 경쟁업체보다 1~2년 앞선 것으로 '반도체 강국'을 다시 한번 세계에 각인시키고 있다. 또 최근 반등세를 보이고 있는 반도체 업황에도 청신호가 될 것으로 보인다. 업계에 따르면 하이닉스반도체는 44나노 공정 기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트 DDR3 D램을 개발했습니다. 지난 4일에는 삼성전자가 세계 최초로 40나노급 DDR2 제품 개발을 발표해 한국 반도체 기업들이 나란히 40나노 시대를 열었습니다. 메모리 반도체에서 회로선폭의 두께가 나노 수준으로 떨어지면서 반도체의 집적도가 높아져 생산성이 향상되는 효과를 누릴 수 있습니다. 반면 일본과 대만, 미국의 경쟁업체들은 여전히 50~60나노급 집적기술에 그치고 있어 삼성전자와 하이닉스가 기술적으로 2~3년 정도 앞서 있다는 분석입니다. 최진욱기자 jwchoi@wowtv.co.kr