하이닉스반도체가 세계 처음으로 40나노급 공정 기술을 적용한 1기가비트 DDR3 D램을 개발했습니다. 하이닉스는 반도체 회로 폭을 40나노대로 줄여 생산성을 크게 높였고 소비전력도 30% 이상 줄일 수 있는 제품이라고 설명했습니다. 하이닉스는 3분기에 40나노급 DDR3 양산에 들어가고 내년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 본격 생산할 계획입니다. 유미혜기자 mhyu@wowtv.co.kr