삼성전자가 기존 한계로 여겨져 오던 40나노 이하의 메모리 미세공정 기술을 실현할 수 있는 新소자기술을 개발했습니다.

삼성전자는 '2006 VLSI 심포지움'에서 초미세공정 신소자인 '소노스'와 '타노스'를 개발, 논문을 발표했습니다.

소노스는 40나노 이하 초미세공정 개발에서 셀간 간섭 현상을 막기 위한 전하기억소자로 삼성전자는 소노스 개발을 넘어 기존 2차원 구조를 3차원 복층구조로 개발, 저장 용량 한계를 극복했습니다.

또 기존 소노스의 소자 막질중 윗 부분의 실리콘 대신 '탄탈'이라는 고유전 물질을 적용한 신소자 '타노스'를 개발, 소노스에 비해 쓰기·지우기 기능을 대폭 향상시켰습니다.

삼성전자는 현재 연구소 단계에서 이를 개발했으며 이에 대한 상용화 연구에 박차를 가할 계획입니다.

한편 삼성전자는 반도체 분야에서 가장 권위있는 학회인 'VLSI 2006'에 모두 19편의 논문이 채택돼, 4년 연속 최다 논문 선정 기업이 됐다고 밝혔습니다.

VLSI는 세계 3대 반도체 학회중 하나로 매년 6월 1년간 세계 반도체 업계와 학게에서 응모된 논문들중 우수 논문을 선정, 발표합니다.

박성태기자 stpark@wowtv.co.kr