기존의 D램이나 플래시 메모리를 대체하는 차세대 메모리로 각광받는 P램의 업그레이드 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다. 한국전자통신연구원 기반기술연구소 유병곤 박사팀은 기존 DRAM의 고집적도와 플래시 메모리의 비휘발성(전원이 꺼져도 저장된 내용이 보존되는 성질) 등의 이점을 모두 갖춘 업그레이드 PRAM(Phase-change Random Access Memory) 소자를 개발했다고 13일 밝혔다. 이번 PRAM 소자 개발에 사용된 신규 재료는 안티몬(Sb)과 셀레늄(Se)이 혼합된 이원계 금속 합금으로 처리속도가 종전 P램에 비해 4배나 빠르며 소비 전력은 10분의 1로 줄어드는 성능을 보였다. PRAM은 소자의 집적화에 유리한 특성을 가지고 있어 최근 급속하게 성장하고 있는 개인 휴대 단말 등 모바일 기기용 비휘발성 메모리 모듈을 빠르게 대체할 수 있을 것으로 전망된다. ETRI는 이번 연구성과와 관련,12건의 기술에 대해 국내외에 특허를 출원했다. 유병곤 박사는 "기존의 방식으로는 고속·저소비전력 특성을 겸비한 기가비트급 PRAM을 실현하는 데 한계가 있다"며 "현재 256Mb급 시작품 연구를 진행 중인 삼성전자 등 국내외 관련 연구 기관의 기술개발에 크게 기여할 수 있을 것"이라고 말했다. 오춘호 기자 ohchoon@hankyung.com ◆P램이란='게르마늄 안티몬 텔룰라이드(Ge2Sb2Te5)'라는 물질이 결정(結晶)상태와 비(非)결정상태로 바뀌는 변화를 이용해 정보를 기록하는 메모리 제품이다. 결정상태는 0으로,비결정상태는 1로 표시된다. 전원이 없어도 기록된 정보가 지워지지 않으며 집적도를 크게 높일 수 있어 D램 이후 대표적인 차세대 메모리 중의 하나로 주목받고 있다.