삼성전자는 D램 수요 증가에 따라 경기 화성공장 13라인 증설에 7천4백88억원을 투자한다고 6일 발표했다. 이번 투자로 13라인의 생산량은 3백mm 웨이퍼 기준으로 현재 월 1만장에서 2만3천장으로 늘어나며 0.11마이크로미터(㎛) 공정은 90나노미터(나노=10억분의 1)로 개선된다. 삼성전자는 지난 7월 기업설명회 때 올해 반도체 분야 투자를 5조2천억원에서 5조7천7백억원으로 늘리고 이 가운데 메모리 부문은 3조9천6백억원에서 4조9천7백억원으로 증액한다고 밝혔다. 장경영 기자 longrun@hankyung.com