삼성전자가 D램과 S램의 장점을 결합한 새로운 메모리 반도체를 개발했다.

삼성전자는 12일 저(低)전력 32메가비트 Ut램(Uni Transistor RAM)을 세계 최초로 개발,전세계 휴대폰 메이커에 샘플로 공급한다고 밝혔다.

Ut램은 S램의 단점을 D램의 셀구조로 보완한 신개념 메모리 반도체로 IMT-2000단말기에 주로 사용될 예정이다.

일반적으로 S램은 소비전력이 적고 정보처리속도가 빠른 장점이 있는 반면 칩 크기가 크고 생산원가가 비싸며 메모리 용량이 작은 단점을 갖고 있다.

이에따라 반도체 업체들은 D램의 고집적도 낮은 생산원가 등의 장점을 S램에 응용하기 위해 노력해왔다.

삼성은 이번 Ut램 개발로 1Mb부터 32Mb까지 종합적인 S램 포트폴리오를 갖춰 올해 S램 분야에서만 23억달러 이상의 매출을 달성하고 S램의 세계시장 점유율도 지난해 25%에서 2002년 30%까지 끌어올릴 계획이라고 밝혔다.

또 칩 크기를 최소화한 TBGA(Tape Ball Grid Array)패키지를 활용,휴대폰의 소형화 및 경량화에 적극 나설 것이라고 설명했다.

삼성은 이번 제품이 기존 단말기에 사용되던 S램과 완벽한 호환성을 가져 IMT-2000 단말기의 데이터 임시저장 기능에 적합할 것으로 내다봤다.

회사 관계자는 "당장 5월부터 실시되는 일본의 WCDMA 방식 단말기에 30메가비트 이상의 대용량 제품이 사용될 것으로 예상되는 등 차세대 휴대폰에 적극 채용될 것으로 보여 Ut램의 시장전망은 매우 밝다"고 말했다.

이익원 기자 iklee@hankyung.com