이번에 출시할 제품은 3V용 16메가 플래시메모리 1종과 2V/3V용 듀얼밴크형 16메가 플래시메모리 2종이다.
이 제품은 회로선폭 0.35마이크론(1마이크론은 100만분의 1m)급 공정기술을 적용했으며 저전력 고속데이터처리 시스템에 사용할 수 있는 JEDEC 규격을 충족한다고 현대측은 설명했다.
플래시메모리는 D램이나 S램과는 달리 전원이 끊어져도 정보가 기억되는 장점이 있으며 용도에 따라 크게 코드플래시 메모리(NOR형)와 데이타플래시 메모리(NAND형)로 분류된다.
NOR형은 휴대폰,롬바이오스,워크스테이션/서버,네트워크장비,셋탑박스 등의 프로그램저장용으로 쓰이고 NAND형은 디지털 스틸 카메라,MP3 플레이어,모빌컴퓨터 등의 화상이나 문자 데이터를 저장하는데 이용되고 있다.
현대전자는 이번에 출시하는 제품이 스택게이트형의 셀을 병렬로 연결한 NOR형이라고 소개했다.
이 제품은 특히 독자개발한 신기술을 적용해 기존에 나와있는 제품들에 비해 메모리셀의 크기를 10~20% 가량 소형화했으며 2V의 저전압에도 90나노초의 고속동작이 가능하다고 덧붙였다.
현대전자는 하반기 양산에 들어가 3천만달러,내년도에는 1억3천만달러의 매출을 계획하고 있다.
윤진식 기자 jsyoon@ked.co.kr