현대전자는 차세대 신기술을 적용한 세계 최소형 2백56메가 싱크로너스 D램(이하 SD램)의 상용제품 개발에 성공했다고 30일 발표했다.

이 제품은 회로선폭 0.14미크론(1미크론미터=1백만분의 1미터)급의 미세 가공기술을 세계 처음으로 적용한 것으로 데이터 처리속도가 1백66MHz로 빠르다고 회사측은 설명했다.

특히 금속 게이트를 적용하여 동작속도를 개선하면서도 회로선폭을 줄였으며 탄탈륨 산화막을 유전막으로 사용하여 전하 저장능력을 획기적으로 향상시켜 완벽한 메모리 셀 특성을 갖춘게 특징이다.

회사측은 이 제품이 지난해말 개발한 2세대 2백56M SD램에 비해 칩 크기가 20%정도 작다고 밝혔다.

2백56메가 SD램은 칩 하나에 신문지 2천장 분량 또는 2백자 원고지 8만4천장에 해당하는 데이터를 저장할 수 있다.

이 회사 관계자는 "현재 시판중인 미국 인텔사의 모든 CPU 제품과 워크스테이션 및 개인용 컴퓨터 모두에 채용이 가능하다"고 말했다.

현대전자는 이미 양산중인 0.18미크론미터급 2백56메가 SD램 및 생산을 개시한 0.15미크론미터급 2백56메가 SD램을 포함한 다양한 제품군을 보유하게 됨으로써,반도체 시장의 다양한 수요에 적극적으로 대처할 수 있게 됐다.

더욱이 앞으로 기가급 D램의 상용화를 위한 차세대 신기술을 과감히 적용,미래 반도체 시장을 주도할 수 있을 것으로 회사측은 기대했다.

현대전자는 이번 0.14미크론미터급 2백56메가 SD램 제품 샘플을 오는 2.4분기중 해외 컴퓨터 제조 업체들에 제공할 예정이다.

이익원 기자 iklee@ked.co.kr